SIA429DJT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SC-70-6

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 12 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 20.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Qg - заряд затвора 62 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 3.5 W

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel