Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SI2342DS-T1-GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
Id - непрерывный ток утечки 6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 17 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
Qg - заряд затвора 10.5 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 2.5 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение TrenchFET
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару