IXFN110N60P3

Технология Si

Вид монтажа Chassis Mount

Упаковка / блок SOT-227-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 90 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 56 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 254 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1500 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube