Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SI7904BDN-T1-E3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
Количество каналов 2 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 30 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Qg - заряд затвора 24 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 17.8 W
Конфигурация Dual
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение TrenchFET
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару