Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / PMDPB85UPE,115
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DFN-2020-6
Количество каналов 2 Channel
Полярность транзистора P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 3.7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 82 mOhms, 82 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 950 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Qg - заряд затвора 8.1 nC, 8.1 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 1.17 W
Конфигурация Dual
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару