SQJB42EP-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8L-4

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Id - непрерывный ток утечки 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.9 mOhms, 7.9 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 30 nC, 30 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 48 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, Reel