NUS5530MNR2G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-8

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 3.9 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток 35 V

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 635 mW

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Reel