IPS70R1K4P7SAKMA1

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-251-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 700 V

Id - непрерывный ток утечки 4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.15 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 16 V

Qg - заряд затвора 4.7 nC

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 22.7 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение CoolMOS

Упаковка Tube