Отслеживание:

Создать запрос 0

Поиск:

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Изображение элемента

Есть ROHS

Описание:

МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор

1

Характеристики

Технология Si

Вид монтажа Chassis Mount

Упаковка / блок SOT-227-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V

Id - непрерывный ток утечки 310 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток Неизвестно

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос

Сообщение отправлено

Ожидайте звонка

Товар добавлен в запрос

Сообщение отправленно

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться