SIHH125N60EF-T1GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK 8 x 8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 23 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 109 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 31 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel