SQJ570EP-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8L-4

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 15 A, 9.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 45 mOhms, 146 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 9 nC, 12 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 27 W, 27 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel