SI3585CDV-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TSOP-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 2.1 A, 3.9 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 58 mOhms, 195 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V

Qg - заряд затвора 3.2 nC, 6 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.3 W, 1.4 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel