Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / TK65E10N1,S1X
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Id - непрерывный ток утечки 148 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Qg - заряд затвора 81 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 192 W
Конфигурация Single
Канальный режим Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару