IXFA6N120P

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-3

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV

Id - непрерывный ток утечки 6 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.75 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 92 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 250 W

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube