Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / QS8K11TCR
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TSMT-8
Количество каналов 2 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms, 35 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Qg - заряд затвора 7 nC, 7nC
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Конфигурация Dual
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару