SQV120N06-4m7L_GE3

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-262-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 120 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.78 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 230 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 250 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Tube