SIZ998DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR-6x5-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 20 A, 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.7 mOhms, 2.2 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V

Qg - заряд затвора 18 nC, 44.3 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 20.2 W, 32.9 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel