IXTZ550N055T2

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DE-475-6

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V

Id - непрерывный ток утечки 550 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 595 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 600 W

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube