SI5504BDC-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок ChipFET-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 4 A, 3.7 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 7 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 3.12 W, 3.1 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel