Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SIHH26N60E-T1-GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PowerPAK-8x8-4
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Id - непрерывный ток утечки 25 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 117 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Qg - заряд затвора 77 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 202 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару