SQM120P10_10M1LGE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 120 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.1 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 190 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 375 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Tube