SI7998DP-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 25 A, 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 26 nC, 48 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 22 W, 40 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel