SIRA10BDP-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.6 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 24.1 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 43 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK

Упаковка Cut Tape, Reel