IXFN82N60Q3

Технология Si

Вид монтажа Chassis Mount

Упаковка / блок SOT-227-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 66 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 275 nC

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 960 W

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube