IXFN170N30P

Технология Si

Вид монтажа Chassis Mount

Упаковка / блок SOT-227-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V

Id - непрерывный ток утечки 138 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 258 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 890 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube