Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / NTGD1100LT1G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TSOP-6
Количество каналов 2 Channel
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
Id - непрерывный ток утечки 3.3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
Qg - заряд затвора Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 830 mW
Конфигурация Dual
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару