SQJ262EP-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8L-4

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 15 A , 40 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 29.5 mOhms, 12.6 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 6.5 nC , 14.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 27 W , 48 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel