SI4554DY-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Id - непрерывный ток утечки 8 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V, 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 13.3 nC, 41.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 3.1 W, 3.2 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel