IXFT66N20Q

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-268-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V

Id - непрерывный ток утечки 66 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 40 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 400 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HyperFET

Упаковка Tube