IXFT170N25X3HV

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-268HV-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V

Id - непрерывный ток утечки 170 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.1 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 190 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 960 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Неизвестно