SQUN702E-T1_GE3

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Die

Количество каналов 3 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V, 200 V

Id - непрерывный ток утечки 20 A, 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V, 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 14 nC, 23 nC, 30.2 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 48 W, 60 W

Конфигурация Triple

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel