TSM250N02DCQ RFG

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TDFN-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 5.8 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 20 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V

Qg - заряд затвора 7.7 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 620 mW

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel