PGA26E19BA

Технология GaN

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 13 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 2 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 69 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение X-GaN

Упаковка Неизвестно