TSM6502CR RLG

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PDFN56-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 5.4 A, 4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, - 4.5 V

Qg - заряд затвора 20.8 nC, 9.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 40 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel