Отслеживание:

Создать запрос 0

Поиск:

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / IXTJ4N150

IXTJ4N150

Изображение элемента

Нет ROHS

Описание:

МОП-транзистор High Voltage Power МОП-транзистор

1

Характеристики

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-247-3

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.5 kV

Id - непрерывный ток утечки 2.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 44.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 110 W

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос

Сообщение отправлено

Ожидайте звонка

Товар добавлен в запрос

Сообщение отправленно

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться