FCMT099N65S3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Power-88-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 87 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 56 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 227 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение SuperFET III

Упаковка Cut Tape, Reel