C3M0065100J

Технология SiC

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-7

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV

Id - непрерывный ток утечки 35 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 65 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V

Vgs - напряжение затвор-исток 15 V, - 4 V

Qg - заряд затвора 35 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 113.5 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Tube