NVMFD5C650NLT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 111 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 37 nC, 37 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 125 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel