IXFK20N120P

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-264-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV

Id - непрерывный ток утечки 20 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 570 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 6.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 193 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 780 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube