CSD25202W15T

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DSBGA-9

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 52 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 750 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 6 V

Qg - заряд затвора 5.8 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel