Отслеживание:

Создать запрос 0

Поиск:

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / NTDV20P06LT4G

NTDV20P06LT4G

Изображение элемента

Есть ROHS

Описание:

МОП-транзистор PFET 60V 15.5A 130R

Характеристики

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 15.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 5 V

Qg - заряд затвора 15 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 65 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Неизвестно

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос

Сообщение отправлено

Ожидайте звонка

Товар добавлен в запрос

Сообщение отправленно

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться