TK10Q60W,S1VQ

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-251-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 9.7 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 327 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.7 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 20 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 80 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение DTMOSIV

Упаковка Неизвестно