Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SIHP25N50E-GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220AB-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Id - непрерывный ток утечки 26 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 145 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Qg - заряд затвора 57 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 250 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару