IXFT320N10T2

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-268-3

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 320 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 430 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 1 kW

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube