Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / RF4E110BNTR
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DFN2020-8
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Id - непрерывный ток утечки 11 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.1 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Qg - заряд затвора 24 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 2 W
Конфигурация Single
Канальный режим Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару