SI4931DY-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V

Id - непрерывный ток утечки 8.9 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Qg - заряд затвора 52 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 2 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel