Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SISH108DN-T1-GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 22 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.9 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
Qg - заряд затвора 30 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 3.8 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару