SIS606BDN-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-1212-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 35.3 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 20 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 52 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel