Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / JFET / IFN5911
Есть ROHS
Описание:
JFET Dual N-Ch JFET -25V 50mA 500mW 4mW
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-78-8
Полярность транзистора N-Channel
Конфигурация Dual
Vds - напряжение пробоя сток-исток 10 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
Ток стока при Vgs=0 40 mA
Id - непрерывный ток утечки 5 mA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток Неизвестно
Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия IFN591
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару