IFN5115

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-18-3

Полярность транзистора P-Channel

Конфигурация Single

Vds - напряжение пробоя сток-исток - 15 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток 30 V

Ток стока при Vgs=0 - 60 mA

Id - непрерывный ток утечки - 15 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 Ohms

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Серия IFN511

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk